(11)	032068 (13) B1	Разделы: A B C D E F G H
(21)	201600585
(22)	2014.09.30
(51)	H01C 7/00 (2006.01) H01C 17/075 (2006.01)
(43)	2016.12.30
(86)	PCT/BY2014/000008
(87)	WO 2016/049727 2016.04.07
(71)	(73) ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ИЗОВАК ТЕХНОЛОГИИ" (BY)
(72)	Ширипов Владимир Яковлевич, Хохлов Евгений Александрович, Артамонов Артем Максимович (BY)
(74)	Горячко М.Ш. (BY)
(54)	ПРЕЦИЗИОННЫЙ ЧИП-РЕЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

(57) 1. Прецизионный чип-резистор, содержащий изоляционную подложку, несущую на рабочей поверхности тонкопленочный резистивный слой с рисунком, верхние контакты, выполненные на рабочей поверхности подложки, проводящее покрытие, нанесенное на рабочую поверхность, торцы и противоположную от рабочей сторону подложки и покрытое последовательными слоями никеля и олова, отличающийся тем, что между рабочей поверхностью подложки и резистивным слоем выполнен тонкопленочный барьерный слой из хотя бы одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ppm и теплопроводность не менее 80 Вт/(м´К), а поверх рабочей области резистивного слоя выполнен тонкопленочный защитный слой хотя бы из одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ppm, теплопроводность не менее 80 Вт/(м´К), прозрачного для лазерного излучения.

2. Чип-резистор по п.1, отличающийся тем, что тонкопленочный резистивный слой выполнен из NiCr сплава с толщиной в пределах 5-65 нм.

3. Чип-резистор по п.1, отличающийся тем, что каждый из тонкопленочных барьерного и защитного слоев выполнен из материала, выбранного из группы, включающей Si₃N₄, SiO₂, Al₂O₃, AlN, толщиной в пределах 50-250 нм.

4. Чип-резистор по п.1, отличающийся тем, что верхние контакты выполнены в виде хотя бы одной тонкой пленки меди толщиной 100-300 нм, поверх которой нанесен хотя бы один тонкий слой никеля толщиной 100-200 нм.

5. Чип-резистор по п.1, отличающийся тем, что проводящее покрытие на рабочей, торцах подложки и обратной стороне подложки выполнено в виде хотя бы одного тонкого слоя никеля толщиной 100-200 нм.

6. Чип-резистор по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из оксида алюминия Al₂O₃ 99,6%.

7. Чип-резистор по п.1, отличающийся тем, что на свободной от контактов площади резистивного элемента выполнен второй защитный слой в виде толстопленочного слоя органической защиты.

8. Способ изготовления чип-резистора, включающий напыление на подложке тонкопленочного резистивного слоя, формирование в указанном резистивном слое токопроводящих резистивных дорожек методом фотолитографии и ионного травления, формирование верхних электродов, формирование защитного слоя на рабочей области резистивной пленки, лазерную подгонку номинала резистора, разделение изоляционной подложки на полосы и формирование проводящего покрытия на рабочей, торцах и обратной стороне подложки напылением тонкого слоя никеля, соединяющего верхние и нижние поверхности подложки, а также разделение полос подложки на отдельные чипы, отличающийся тем, что до формирования резистивного слоя на поверхность подложки напыляют тонкопленочный барьерный слой из хотя бы одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ppm и теплопроводность не менее 80 Вт/(м´К), после чего, не выгружая подложки из камеры напыления, напыляют резистивный слой путем совместного магнетронного напыления компонентов конечной пленки из мишеней чистых материалов, верхние контакты формируют, осаждая последовательно пленки меди и никеля через соответствующую фотолитографическую маску на краях напыленного резистивного слоя, формируют тонкопленочный защитный слой на рабочей области резистивного слоя напылением хотя бы одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ppm и теплопроводность не менее 80 Вт/(м´К), после чего производят лазерную подгонку номинала резистора.

9. Способ по п.8, отличающийся тем, что до операции формирования барьерного слоя осуществляют многоступенчатую очистку подложки, осуществляя последовательно отмывку, химическую очистку в перекисно-аммиачном растворе в ультразвуковой ванне с нагревом раствора до температуры 50-70°C в течение 5-15 мин, а непосредственно перед нанесением барьерного слоя производят очистку поверхности подложки пучком ионов кислорода.

10. Способ по п.8, отличающийся тем, что тонкопленочный резистивный слой выполняют из NiCr сплава с толщиной в пределах 5-65 нм.

11. Способ по п.8, отличающийся тем, что каждый из тонкопленочных барьерного и защитного слоев напыляют материалом, выбранным из группы, включающей Si₃N₄, SiO₂, Al₂O₃, AlN, толщиной в пределах 50-250 нм.

12. Способ по п.8, отличающийся тем, что верхние контакты выполняют в виде хотя бы одной тонкой пленки меди толщиной 100-300 нм, поверх которой наносят хотя бы один тонкий слой никеля толщиной 100-200 нм.

13. Способ по п.8, отличающийся тем, что проводящее покрытие на торцах подложки и нижние контакты выполняют в виде хотя бы одного тонкого слоя никеля толщиной 100-200 нм.

14. Способ по п.8, отличающийся тем, что на свободную от контактов площадь резистивного элемента наносят толстопленочный слой органической защиты.