(57) 1. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора, включающий:
S1: осаждение слоя графена на поверхность медной фольги посредством химического осаждения из паровой фазы с использованием метана в качестве источника углерода;
S2: осаждение слоя металла на поверхность слоя графена;
S3: присоединение слоя-подложки к поверхности слоя металла с образованием графеновой пленки;
S4: размещение графеновой пленки в растворе для травления меди, частичное погружение слоя-подложки в раствор для травления меди и полное погружение слоя металла, слоя графена и медной фольги в раствор для травления меди до полного растворения медной фольги, затем перемещение графеновой пленки, с которой удалена медная фольга, на целевую подложку и удаление слоя-подложки, при этом плотность слоя-подложки меньше плотности раствора для травления меди; и
S5: определение структур истока и стока на поверхности слоя металла, изготовление электрода истока и электрода стока и изготовление электрода затвора на стороне целевой подложки, противоположной слою графена, с получением графенового тонкопленочного транзистора.
2. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.1, отличающийся тем, что перед S1 способ дополнительно включает последовательное промывание медной фольги в этаноле, ацетоне и разбавленной хлороводородной кислоте с концентрацией 0,5 моль/л.
3. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.1, отличающийся тем, что слой металла осаждают на поверхность слоя графена посредством электронно-лучевого напыления или магнетронного напыления.
4. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.1, отличающийся тем, что слой металла имеет толщину в диапазоне 5-50 нм.
5. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.4, отличающийся тем, что каждый из слоев, входящих в составной слой металла, имеет одинаковую толщину, если слой металла представляет собой составной слой металла.
6. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.4, отличающийся тем, что в слое металла используется металл, в том числе титан, золото, никель, палладий или платина.
7. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.1, отличающийся тем, что слой-подложка содержит полиуретан.
8. Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора по п.1, отличающийся тем, что целевая подложка содержит изоляционный слой, причем материал изоляционного слоя включает диоксид кремния, карбид кремния, стекло или сапфир.

---