(21)	201791045 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.11.14
(51)	H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
(31)	201410631072.6
(32)	2014.11.11
(33)	CN
(86)	PCT/CN2014/091057
(87)	WO 2016/074204 2016.05.19
(71)	ШЭНЬЧЖЭНЬ ЧАЙНА СТАР ОПТОЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД. (CN)
(72)	Ван Сяосяо, Сяо Сян Чи, Ду Пэн, Су Чан-И, Сюй Хунюань, Сунь Бо (CN)
(74)	Носырева Е.Л. (RU)
(54)	LTPS TFT, ОБЛАДАЮЩИЙ ДВУХЗАТВОРНОЙ СТРУКТУРОЙ, И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ LTPS TFT

(57) Настоящее изобретение предлагает низкотемпературный поликремниевый тонкопленочный транзистор, обладающий двухзатворной структурой, и способ формирования низкотемпературного поликремниевого тонкопленочного транзистора. Низкотемпературный поликремниевый тонкопленочный транзистор содержит подложку, один или несколько структурированных слоев аморфного кремния (a-Si), расположенные в запирающем слое на подложке, для формирования нижнего затвора, NMOS, расположенный на запирающем слое, и PMOS, расположенный на запирающем слое. NMOS содержит структурированный слой затворного электрода (GE) в качестве верхнего затвора, и структурированный слой GE и нижний затвор, сформированные одним или несколькими структурированными a-Si слоями, образуют двухзатворную структуру. Настоящее изобретение предлагает низкотемпературный поликремниевый тонкопленочный транзистор с более стабилизированной I-V характеристикой, лучшей приводной способностью, низким энергопотреблением и более высокой производительностью.