(21)	201400949 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.07.30
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01)
(96)	2014/EA/0058 (BY) 2014.07.30
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович (BY)
(54)	ДИОД ШОТТКИ

(57) Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - к конструкции кристалла мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, в качестве выпрямителей в изделиях силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача снижения обратного тока диода Шоттки и уменьшения удельного расхода рения. Сущность изобретения заключается в том, что в диоде Шоттки, содержащем сильнолегированную кремниевую подложку n-типа проводимости со сформированным окисленным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости и охранным кольцом р-типа проводимости, образующим р-n переход, вскрытое в окисле кремния окно, сформированное в окне углубление величиной 0,05-0,5 мкм, барьерный слой электрода Шоттки, барьерный слой электрода Шоттки, контактный электрод; барьерный слой электрода Шоттки выполняют двухслойным: нижний слой формируют из рения толщиной от 5,0 нм до 15,0 нм, а верхний слой формируют из молибдена толщиной от 100 до 300 нм.