(21)	201400948 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.07.30
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01)
(96)	2014/EA/0059 (BY) 2014.07.30
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Лиходиевская Валентина Егоровна (BY)
(54)	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ

(57) Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно - к способу изготовления кристаллов мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, для изготовления выпрямителей переменного тока для изделий силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача снижения обратного тока диода Шоттки и уменьшения удельного расхода рения. Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления диода Шоттки, включающем формирование в сильнолегированной кремниевой подложке n-типа проводимости со слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости охранного кольца р-типа проводимости, образующего р-n переход, формирование окисла кремния, вскрытие в окисле кремния окна, формирование в окне углубления величиной 0,05-0,5 мкм, формирование барьерного слоя электрода Шоттки, контактного электрода; барьерный слой электрода Шоттки формируют из рения толщиной от 5,0 нм до 15,0 нм, а перед формированием контактного электрода формируют слой молибдена толщиной от 100 до 300 нм.