(21)	201401114 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.09.23
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/3115 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01)
(96)	2014/EA/0072 (BY) 2014.09.23
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Баранов Валентин Владимирович (BY)
(54)	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ

(57) Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно - к способу изготовления кристаллов мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, для изготовления выпрямителей переменного тока для изделий силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача уменьшения удельного расхода платины без увеличения уровня обратного тока. Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления диода Шоттки, включающем формирование электрода Шоттки нанесением пленки сплава никель-платина-ванадий на окисленную сильнолегированную кремниевую подложку первого типа проводимости со сформированным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости, со сформированным в эпитаксиальном слое охранным кольцом второго типа проводимости и вскрытым в окисле кремния контактным окном, термообработкой в инертной или восстановительной среде при температуре от 200 до 450°С в течение интервала времени, составляющего от 60 до 300 мин, термообработкой в инертной или восстановительной среде при температуре от 525 до 575°С в течение интервала времени, составляющего от 15 до 60 мин, удаление непрореагировавших остатков сплава никель-платина-ванадий, формирование металлизации анода последовательным нанесением слоев ванадия, алюминия или его сплавов, титана, никеля и серебра с последующей фотолитографией, создание металлизации катода последовательным нанесением слоев титана, никеля и серебра; пленку сплава никель-платина-ванадий наносят толщиной от 10 до 20 нм.