(57) 1. Кремниевое исходное сырье для производства получаемых направленной кристаллизацией Чохральского, зонной плавкой поликристаллических слитков, тонких листов или лент кремния для изготовления кремниевых пластин для ФЭ солнечных элементов, отличающееся тем, что оно содержит от 0,3 до 5,0 амд бора и от 0,5 до 3,5 амд фосфора, менее 50 амд элементов-металлов и менее 100 амд углерода.
2. Кремний для изготовления пластин солнечных элементов, представляющий собой полученные методом направленной кристаллизации Чохральского, методом зонной плавки поликристаллические слиток, тонкий лист или ленту, отличающийся тем, что слиток, тонкий лист или лента кремния содержит от 0,2 до 10 амд бора и от 0,1 до 10 амд фосфора, распределенных в слитке, причем указанный слиток кремния имеет изменение типа от p-типа к n-типу или от n-типа к p-типу в положении от 40 до 99% высоты слитка или толщины листа или ленты и имеет профиль удельного сопротивления, описываемый кривой с начальным значением в интервале от 0,4 до 10 Ом×см и с повышением значения удельного сопротивления в направлении к точке изменения типа.
3. Кремний по п.2, отличающийся тем, что начальное значение удельного сопротивления находится в интервале от 0,7 до 3 Ом×см.
4. Способ производства кремния для изготовления получаемых методом направленной кристаллизации Чохральского, методом зонной плавки поликристаллических слитка, тонкого листа или ленты, используемых для изготовления пластин солнечных элементов, отличающийся тем, что металлургический кремний, полученный в электродуговой печи с помощью печи карботермического восстановления и содержащий вплоть до 300 амд бора и вплоть до 100 амд фосфора, подвергают следующим стадиям рафинирования:
a) обработка металлургического кремния шлаком силиката кальция для снижения содержания бора в кремнии до уровня от 0,2 до 10 амд;
b) кристаллизация обработанного шлаком кремния со стадии а);
c) выщелачивание кремния со стадии b) по меньшей мере на одной стадии выщелачивания кислотным выщелачивающим раствором для удаления примесей;
d) плавление кремния со стадии с);
e) кристаллизация расплавленного кремния со стадии d) в форме слитка направленной кристаллизацией;
f) удаление верхней части закристаллизованного слитка со стадии е) для получения слитка кремния, содержащего от 0,2 до 10 амд бора и от 0,1 до 10 амд фосфора;
g) измельчение и/или классификация по размеру кремния со стадии f).
|