(57) Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта. В способе, предусматривающем сублимацию источника карбида кремния на пластину затравочного монокристалла SiC, в присутствии расположенной параллельно ей во внутреннем объеме ростового тигля пленки из карбида тугоплавкого металла, созданной до проведения сублимации, сублимацию проводят в ростовом тигле, выполненным составным из двух герметично соединенных частей, верхняя часть которого, выполненная с меньшим диаметром внутренней полости D₁, предназначена для размещения пластины затравочного монокристалла SiC и слитка монокристаллического SiC, а нижняя, с большим диаметром внутренней полости D₂ - для размещения источника карбида кремния и пленки из карбида тугоплавкого металла, при этом в нижней части составного тигля на расстоянии Н от поверхности соединения частей составного тигля размещают пластину из пористого графита со средним размером пор Р, на которую со стороны, обращенной к пластине затравочного монокристалла SiC и соосно ей, предварительно создана пленка из карбида тугоплавкого металла диаметром D₃³D₁+2H и толщиной Н₃£Р. Пленку из карбида тугоплавкого металла на пластине из пористого графита создают путем нанесения одним из реактивных вакуумных методов либо формируют путем нанесения на пластину из пористого графита пленки из тугоплавкого металла с последующей ее карбидизацией. Способ позволяет повысить качество выращенных слитков монокристаллического карбида кремния, а также снизить затраты на проведение способа.