(21)	201890238 (13) A1	Разделы: A B C E F G H
(22)	2016.08.01
(51)	H01L 21/20 (2006.01)
(31)	1513567.6; 1600162.0
(32)	2015.07.31; 2016.01.05
(33)	GB
(86)	PCT/EP2016/068350
(87)	WO 2017/021380 2017.02.09
(71)	КРАЙОНАНО АС; НОРВИДЖЕН ЮНИВЕPСИТИ ОФ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ (ЭнТиЭнЮ) (NO)
(72)	Ким Дон-Чуль, Хёиос Ида Мари, Мунши Мазид, Фимланд Бъёрн Ове (NO), Веман Хельге (CH), Рен Диндин, Дирадж Даса (NO)
(74)	Поликарпов А.В., Соколова М.В., Путинцев А.И., Черкас Д.А., Игнатьев А.В. (RU)
(54)	СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ НАНОПРОВОЛОК ИЛИ НАНОПИРАМИДОК НА ГРАФИТОВЫХ ПОДЛОЖКАХ

(57) Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок, включающий (I) предоставление графитовой подложки и осаждение AlGaN, InGaN, AlN или AlGa(In)N на указанную графитовую подложку при повышенной температуре с образованием буферного слоя или островков образования зародышей наномасштаба из указанных соединений, (II) выращивание множества полупроводниковых нанопроволок или нанопирамидок группы III-V, предпочтительно III-нитридных нанопроволок или нанопирамидок, на указанном буферном слое или на островках образования зародышей на графитовой подложке, предпочтительно посредством ГЭМПО или МПЭ.