(11)	027445 (13) B1	Разделы: A B C E F G H
(21)	201401109
(22)	2014.09.23
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01)
(43)	2016.03.31
(96)	2014/EA/0073 (BY) 2014.09.23
(71)	(73) ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович (BY)
(54)	ДИОД ШОТТКИ

(57) Диод Шоттки, содержащий сильнолегированную кремниевую подложку n-типа проводимости со сформированным окисленным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости и охранным кольцом р-типа проводимости, вскрытое в окисле кремния контактное окно, электрод Шоттки, сформированный из пленки сплава никель-платина-ванадий, металлизацию анода из последовательно нанесенных слоев ванадия, алюминия или его сплавов, титана, никеля и серебра, металлизацию катода из последовательно нанесенных слоев титана, никеля и серебра, отличающийся тем, что пленку сплава никель-платина-ванадий формируют толщиной от 10 до 20 нм.