(11)	027360 (13) B1	Разделы: A B C E F G H
(21)	201401114
(22)	2014.09.23
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/3115 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01)
(43)	2016.02.29
(96)	2014/EA/0072 (BY) 2014.09.23
(71)	(73) ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Баранов Валентин Владимирович (BY)
(54)	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ

(57) Способ изготовления диода Шоттки, включающий формирование электрода Шоттки нанесением пленки сплава никель-платина-ванадий на окисленную сильнолегированную кремниевую подложку первого типа проводимости со сформированным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости, со сформированным в эпитаксиальном слое охранным кольцом второго типа проводимости и вскрытым в окисле кремния контактным окном, термообработкой в инертной или восстановительной среде при температуре от 200 до 450°С в течение интервала времени, составляющего от 60 до 300 мин, термообработкой в инертной или восстановительной среде при температуре от 525 до 575°С в течение интервала времени, составляющего от 15 до 60 мин, удаление непрореагировавших остатков сплава никель-платина-ванадий, формирование металлизации анода последовательным нанесением слоев ванадия, алюминия или его сплавов, титана, никеля и серебра с последующей фотолитографией, создание металлизации катода последовательным нанесением слоев титана, никеля и серебра, отличающийся тем, что пленку сплава никель-платина-ванадий наносят толщиной от 10 до 20 нм.