(21)	201650136 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2015.06.01
(51)	H01L 35/32 (2006.01) H01L 23/38 (2006.01)
(31)	PCT/EP2014/061335
(32)	2014.06.02
(33)	EP
(86)	PCT/EP2015/001109
(87)	WO 2015/185204 2015.12.10
(71)	ХАТ ТЭКНОЛОДЖИ А.Ш. (TR)
(72)	Килик Халил (NL)
(74)	Романова Н.В. (RU)
(54)	ОХЛАЖДАЮЩИЙ МАССИВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

(57) Данное изобретение относится к охлаждающему массиву интегральной микросхемы, предпочтительно для микропроцессора или охлаждающего устройства, состоящему из диэлектрической подложки с легированными и различимыми зонами для реализации по меньшей мере одного микроэлектронного компонента, образующего интегральную микросхему, и по меньшей мере одного термоэлектрического компонента, образующего охлаждающий массив. Охлаждающий масив отличается тем, что термоэлектрический компонент 1 содержит по меньшей мере одну первую контактную зону, по меньшей мере одну вторую контактную зону и по меньшей мере одну секцию охлаждения, где секция охлаждения расположена между первой и второй контактными зонами и состоит по меньшей мере из одного термоэлемента 29, на который подается напряжение от первой контактной зоны и второй контактной зоны через блок управления, где термоэлемент 29 состоит из по меньшей мере одного легированного слоя и второго легированного слоя, которые подключены с помощью мостового элемента 53, 58, 59, 73, 83, 84, 92 таким образом, что мостовой элемент 53, 58, 59, 73, 83, 84, 92 опирается только частично на первый легированный слой и/или второй легированный слой. С помощью охлаждающего массива в соответствии с данным изобретением могут быть реализованы компактные и/или более эффективные интегральные микросхемы, так как обеспечивается достаточно свободный поток тепла из внутренней части интегральной микросхемы.