(11)	026882 (13) B1	Разделы: A B C E F G H
(21)	201400949
(22)	2014.07.30
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01)
(43)	2016.02.29
(96)	2014/EA/0058 (BY) 2014.07.30
(71)	(73) ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович (BY)
(54)	ДИОД ШОТТКИ

(57) Диод Шоттки, содержащий сильнолегированную кремниевую подложку n-типа проводимости со сформированным окисленным слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости, охранное кольцо р-типа проводимости, образующее р-n переход, вскрытое в окисле кремния окно, сформированное в окне углубление величиной 0,05-0,5 мкм, барьерный слой электрода Шоттки и контактный электрод, отличающийся тем, что барьерный слой электрода Шоттки выполняют двуслойным: нижний слой формируют из рения толщиной от 5,0 до 15,0 нм, а верхний слой формируют из молибдена толщиной от 100 до 300 нм.