(11)	026752 (13) B1	Разделы: A B C E F G H
(21)	201400948
(22)	2014.07.30
(51)	H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01)
(43)	2016.02.29
(96)	2014/EA/0059 (BY) 2014.07.30
(71)	(73) ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ"-УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Лиходиевская Валентина Егоровна (BY)
(54)	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ

(57) Способ изготовления диода Шоттки, включающий окисление сильнолегированной кремниевой подложки n-типа проводимости со слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости, формирование в эпитаксиальном слое охранного кольца р-типа проводимости, образующего р-n переход, вскрытие в окисле кремния окна, формирование в окне углубления величиной 0,05-0,5 мкм, формирование барьерного слоя электрода Шоттки и контактного электрода, отличающийся тем, что барьерный слой электрода Шоттки формируют из рения толщиной от 5,0 до 15,0 нм, а перед формированием контактного электрода формируют слой молибдена толщиной от 100 до 300 нм.