(21)	201500244 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2015.02.04
(51)	H01L 21/318 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
(96)	2015/EA/0016 (BY) 2015.02.04
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ" - УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Булыгин Александр Васильевич, Шикуло Владимир Евгеньевич (BY)
(54)	МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

(57) Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к технологии изготовления субмикронных интегральных микросхем. В основу изобретения положено решение задачи повышения качества пассивирующего покрытия и выхода годных структур металлизации ИМС с субмикронными проектными нормами. Сущность изобретения заключается в том, что в металлизации интегральной схемы, содержащей сформированные на поверхности полупроводниковой пластины активные и пассивные элементы, рисунок из токопроводящего материала с контактными площадками для присоединения внешних выводов, слой оксида кремния и пассивирующий слой нитрида кремния, слой оксида кремния выполнен в виде пристеночных спейсеров на боковых поверхностях токопроводящего материала, а пассивирующий слой нитрида кремния выполнен толщиной 0,8-1,2 мкм.