(21)	201500106 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.12.17
(51)	H01L 21/477 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01)
(96)	2014/EA/0109 (BY) 2014.12.17
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ" - УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Васильев Юрий Борисович, Трусов Виктор Леонидович, Богаткина Алла Николаевна (BY)
(54)	СПОСОБ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

(57) Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к технологии формирования высококачественных слоев тонких подзатворных и туннельных диэлектриков и может быть использовано в техпроцессе изготовления МОП и КМОП субмикронных интегральных схем. В основу изобретения положена задача повышения выхода годных ИМС и улучшения параметров подзатворного диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что в способе термического окисления кремниевых пластин, включающем загрузку лодочки с пластинами в нагретый реактор, подъем температуры до температуры окисления, окисление пластин, охлаждение и выгрузку лодочки с пластинами из реактора, причем в процессе загрузки лодочки в реактор и выгрузки из реактора загрузочная камера продувается ламинарным потоком циркулирующего фильтрованного воздуха или азота; загрузка лодочки с пластинами проводится в нагретый до температуры (350-380)°С реактор.