(21)	201500101 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.12.23
(51)	H01L 29/872 (2006.01)
(96)	2014/EA/0114 (BY) 2014.12.23
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ" - УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Голубев Николай Федорович (BY)
(54)	ДИОД ШОТТКИ

(57) Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к конструкции кристалла диода Шоттки и может быть использовано в изделиях силовой электроники. В основу изобретения положена задача улучшения устойчивости диодов Шоттки к воздействию разрядов статического электричества, уменьшения их обратного тока и повышения выхода годных диодов Шоттки. Сущность изобретения заключается в том, что в диоде Шоттки, содержащем сильнолегированную кремниевую подложку n-типа проводимости со сформированным на поверхности слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости и охранным кольцом р-типа проводимости, в пределах которого сформирована матрица областей р-типа проводимости, образующих с эпитаксиальным слоем р-n-переходы, защитное диэлектрическое покрытие, вскрытое в защитном диэлектрическом покрытии окно, барьерный слой электрода Шоттки, металлизацию анода, металлизацию катода, причем охранное кольцо и области р-типа проводимости выполнены с поверхностной концентрацией примеси р-типа проводимости от 10¹⁸ до 10¹⁹ см^-3, барьерный слой электрода Шоттки сформирован в углублении, выполненном в пределах указанного окна на глубину от 0,1 до 0,3 мкм; области р-типа проводимости выполнены круглой формы диаметром от 3 до 6 мкм и равноудалены друг от друга на расстояние от 18 до 22 мкм, причем суммарная площадь областей р-типа внутри охранного кольца составляет от 0,05 до 0,15 полной площади внутри охранного кольца.