| |
(21) | 201591835 (13) A1 |
Разделы: A B C D E F G H |
(22) | 2014.05.28 |
(51) | C03C 17/36 (2006.01) |
(31) | BE 2013/0385; 13197207.7 |
(32) | 2013.05.30; 2013.12.13 |
(33) | BE; EP |
(86) | PCT/EP2014/061096 |
(87) | WO 2014/191474 2014.12.04 |
(88) | 2015.01.22 |
(71) | АГК ГЛАСС ЮРОП (BE) |
(72) | Майё Стейн, Бодуин Анна-Кристина, Хауптманн Марк, Депов Жан-Мишель (BE) |
(74) | Квашнин В.П. (RU) |
(54) | НИЗКОЭМИССИОННОЕ И СОЛНЦЕЗАЩИТНОЕ ОСТЕКЛЕНИЕ |
(57) Данное изобретение относится к системам остекления с низкоэмиссионными и солнцезащитными свойствами, которые только незначительно изменяются при прохождении тепловой обработки. Они состоят из конструкции из тонких слоев, включающей в себя попеременное размещение n функциональных слоев, отражающих инфракрасное излучение, и n+1 диэлектрических покрытий, и барьерный слой, накладываемый непосредственно на последний функциональный слой, наиболее удаленный от подложки, отличающейся тем, что (i) первое диэлектрическое покрытие, наиболее близкое к подложке, включает в себя слой, выполненный из оксида, находящееся в непосредственном контакте с подложкой, (ii) внутреннее диэлектрическое покрытие или покрытия, окруженное двумя функциональными слоями, включает в себя слой, выполненный из нитрида кремния или оксида кремния, толщиной более 5 нм, окруженный с обеих сторон слоями, выполненными из оксида, отличного от оксида кремния, толщиной более 5 нм, (iii) барьерный слой основан на оксиде цинка или состоит из оксида индия, возможно легированного оловом, и (iv) последнее диэлектрическое покрытие, наиболее удаленное от подложки, включает в себя (в порядке, начиная от подложки) слой, выполненный из оксида, отличающегося от оксида кремния, толщиной более 3 нм, и слой, выполненный из нитрида кремния или оксида кремния, толщиной более 10 нм.
|