(21)	201401190 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.11.26
(51)	H01L 21/316 (2006.01) B05D 5/12 (2006.01) C23C 18/08 (2006.01)
(31)	20140252
(32)	2014.05.06
(33)	BY
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ" - УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ"; УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ "ГОМЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ФРАНЦИСКА СКОРИНЫ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович, Асадчий Андрей Николаевич, Семченко Алина Валентиновна, Сидский Виталий Валерьевич, Гайшун Владимир Евгеньевич (BY)
(54)	ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ОКСИДНОЙ ПЛЕНКИ

(57) Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких оксидных пленок на интегральных микросхемах, применяемых, в частности, в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. Технический результат заключается в увеличении остаточной поляризации до Р_r=8 мкКл/см² и расширении диапазона концентраций элементов, при которых формируется необходимая кристаллическая структура сегнетоэлектрической пленки. Готовят исходные растворы хлоридов стронция, висмута, тантала и ниобия, каждый раствор подвергают ультразвуковой обработке в течение 20-40 мин, выдерживают в течение суток при комнатной температуре, смешивают исходные растворы при перемешивании в один стронций-висмут-тантал-ниобиевый пленкообразующий раствор, подогревают раствор до 40-45°С в течение 30-40 мин, добавляют в раствор стабилизатор в количестве 2-3 мас.%, выдерживают пленкообразующий раствор в течение суток при комнатной температуре, наносят раствор на подложку, сушат подложку с нанесенным пленкообразующим раствором при температуре 50-450°С и отжигают пленку в присутствии кислорода при температуре 700-800°С в течение 1-2 ч.