(21)	201201243 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2012.09.07
(51)	H01L 33/30 (2010.01) H01L 21/208 (2006.01)
(96)	2012000183 (RU) 2012.09.07
(71)	ООО "ЛЕД МИКРОСЕНСОР НТ" (RU)
(72)	Журтанов Бижигит Ержигитович, Стоянов Николай Деев (RU)
(74)	Нилова М.И. (RU)
(54)	ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

(57) Настоящее изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к гетероструктуре на основе твердого раствора GaInAsSb со встречным р-n переходом, способу ее изготовления и светодиоду на основе этой гетероструктуры. Предлагаемая гетероструктура содержит подложку, содержащую GaSb, активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный над подложкой, ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb и расположенный над активным слоем, контактный слой, содержащий GaSb и расположенный над ограничительным слоем, причем дополнительно гетероструктура содержит буферный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb и расположенный между подложкой и активным слоем, причем буферный слой содержит индия меньше, чем активный слой. Использование указанного буферного слоя позволяет локализовать неосновные носители в активной области, благодаря этому увеличивается доля излучательной рекомбинации и соответственно увеличивается квантовая эффективность гетерострутуры. Кроме того, использование указанного буферного слоя позволяет минимизировать влияние дефектов, прорастающих из подложки в активную область, что приводит к уменьшению глубоких акцепторных уровней и соответственно доли безызлучательной рекомбинации Шоккли-Рид-Холла и к увеличению квантовой эффективности гетероструктуры. Светодиоды, изготовленные на основе предлагаемой гетероструктуры, излучают в среднем инфракрасном диапазоне 1,8-2,4 мкм.