(57) 1. Способ получения практически аморфного телмисартана, включающий:
а) приготовление водного раствора, содержащего телмисартан и по меньшей мере один основной агент, и
б) распылительную сушку указанного водного раствора с получением высушенного распылением гранулята.
2. Способ по п.1, в котором высушенный распылением гранулят включает 5-200 мас.ч. основного агента в расчете на 100 мас.ч. телмисартана.
3. Способ по п.1, в котором телмисартан растворяют в воде с использованием одного или нескольких основных агентов, которые выбирают из группы, включающей гидроксид щелочного металла, основную аминокислоту и меглумин.
4. Способ по п.2, в котором в качестве основного агента выбирают гидроксид натрия или меглумин.
5. Способ по п.1, в котором водный раствор телмисартана дополнительно включает солюбилизатор и/или замедлитель кристаллизации.
6. Способ по п.5, в котором содержание сухого вещества в исходном водном растворе в основном составляет 10-40 мас.%.
7. Способ по п.1, в котором распылительную сушку водного раствора осуществляют при комнатной температуре или повышенной температуре между 50 и 100°C в сушилке с параллельным потоком или с противотоком.
8. Способ по п.1, в котором распылительную сушку водного раствора осуществляют при давлении распыления от 1 до 4 бар.
9. Способ по п.1, в котором высушенный распылением гранулят, имеющий остаточную влажность £5 мас.%, получают в циклонном сепараторе.
10. Способ по п.9, в котором на выходе распылительной сушилки поддерживают температуру воздуха приблизительно от 80 до 90°C.
11. Способ по п.1, в котором получают высушенные распылением гранулы в виде тонкого порошка, имеющего следующее распределение размеров частиц:
d10:£20 мкм,
d50:£80 мкм,
d90:£350 мкм.
12. Способ по п.1, в котором высушенный распылением гранулят представляет собой отвержденный раствор или стекло с температурой стеклования Tg>50°C.
13. Способ по п.1, в котором телмисартан, эксципиенты или вспомогательные вещества, содержащиеся в высушенном распылением грануляте, находятся в аморфном состоянии, не имеющем определяемых признаков кристалличности.
| 
