(57) 1. Способ обработки сапфировой подложки, включающий облучение поверхности сапфировой подложки пучком одно- и/или многозарядных ионов газа таким образом, чтобы получить ионно-имплантированный слой в сапфировой подложке, при этом указанная поверхность граничит со средой, отличающейся от сапфировой подложки,
причем доза имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности находится в диапазоне 10¹²-10¹⁸ ионов/см²;
ускоряющее напряжение находится в диапазоне 5-1000 кВ и
ионы одно- и/или многозарядных ионов газа выбирают из ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S),
при этом дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбирают таким образом, чтобы получить атомную концентрацию ионов в указанном ионно-имплантированном слое, при которой показатель преломления nL ионно-имплантированного слоя больше или равен 0,8´(nA´nS)^1/2 и меньше или равен 1,2´(nA´nS)^1/2, где nA - показатель преломления воздуха и nS - показатель преломления сапфировой подложки; и
ускоряющее напряжение выбирают таким образом, чтобы получить толщину имплантированного слоя e, которая больше или равна 0,75´p´l/(4nL) и меньше или равна 1,25´p´l/(4nL),
где e - толщина ионно-имплантированного слоя, соответствующая зоне имплантации, где атомная концентрация имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа больше или равна 1% и е выражается в нанометрах;
p - ненулевое положительное целое число;
l - длина падающей волны, причем l выражается в нанометрах и таким образом, чтобы получить антибликовую обработку указанной сапфировой подложки, эффективную в видимом диапазоне.
2. Способ обработки по п.1, в котором ионы одно- и/или многозарядных ионов газа принадлежат одному из следующих элементов: гелий (He), неон (Ne), аргон (Ar), криптон (Kr), ксенон (Xe), азот (N) и кислород (О), предпочтительно азоту (N) и кислороду (О).
3. Способ обработки по п.1 или 2, в котором ионы для облучения пучком одно- и/или многозарядных ионов газа получают с помощью источника электронного циклотронного резонанса (ЭЦР).
4. Способ обработки по любому из пп.1-3, в котором ионы газового пучка являются одно- и многозарядными и включают 10% многозарядных ионов или больше 10% многозарядных ионов.
5. Способ обработки по любому из пп.1-4, в котором дозу имплантированных одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности выбирают таким образом, чтобы получить атомную концентрацию имплантированных ионов больше или равную 5% и меньше или равную 20%, предпочтительно больше или равную 9,5% и меньше или равную 10,5%.
6. Способ обработки по любому из пп.1-5, в котором сапфировая подложка перемещается по отношению к пучку одно- и/или многозарядных ионов газа со скоростью V_D, которая составляет 0,1-1000 мм/с.
7. Способ обработки по п.6, в котором одну и ту же зону сапфировой подложки перемещают под пучком одно- и/или многозарядных ионов газа со скоростью V_D.
8. Способ обработки по любому из пп.1-7, в котором дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газов на единицу площади поверхности выбирают в диапазоне 10¹⁶-10¹⁸ ионов/см², например выбирают в диапазоне 2.10¹⁶-2.10¹⁷ ионов/см².
9. Способ обработки по любому из пп.1-8, в котором ускоряющее напряжение выбирают в диапазоне 10-100 кВ.
10. Способ обработки по любому из пп.1-9, в котором дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа и ускоряющее напряжение дополнительно выбирают в соответствии с дополнительными правилами выбора,
при этом дополнительные правила выбора включают использование данных, полученных на этапе перед облучением обрабатываемой сапфировой подложки пучком одно- и/или многозарядных ионов газа,
указанный этап заключается в выборе одного типа одно- и/или многозарядных ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S), выполнении нескольких экспериментов с сапфировыми подложками, аналогичными обрабатываемой подложке, с использованием указанных ионов для облучения и изменении дозы имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и ускоряющего напряжения до тех пор, пока не будут определены диапазоны искомой дозы имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и диапазоны ускоряющего напряжения, чтобы получить ионно-имплантированный слой для получения желаемой антибликовой обработки, эффективной в видимом диапазоне; и
выбирают дозу одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и величину ускоряющего напряжения в пределах диапазонов, полученных на предыдущем этапе, и обрабатывают сапфировую подложку выбранными ионами при выбранных значениях.
11. Способ обработки по любому из пп.1-9, в котором дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа и ускоряющее напряжение дополнительно выбирают в соответствии с дополнительными правилами выбора, при этом дополнительные правила выбора включают в себя выбор одного типа одно- и/или многозарядных ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S);
выбор дозы одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и значения ускоряющего напряжения в соответствии с расчетом на основе профиля ионной имплантации в зависимости от глубины имплантации для выбранных ионов, при этом указанный профиль ионной имплантации предварительно рассчитывают или определяют для нескольких значений ускоряющего напряжения, с тем чтобы получить ионно-имплантированный слой для получения требуемой антибликовой обработки, эффективной в видимом диапазоне, чтобы получить атомную концентрацию имплантированных ионов больше или равную 5% и меньше или равную 20%, например больше или равную 9,5% и меньше или равную 10,5%.
12. Способ обработки по любому из пп.1-9, в котором дозу имплантируемых одно- и/или многозарядных ионов газа и ускоряющее напряжение дополнительно выбирают в соответствии с дополнительными правилами выбора, при этом дополнительные правила выбора включают в себя
выбор одного типа одно- и/или многозарядных ионов элементов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S);
выбор дозы одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности и величины ускоряющего напряжения согласно следующему уравнению:
0,02£D´C²/(T´Dn)£2,
где D - выбираемое значение дозы одно- и/или многозарядных ионов газа на единицу площади поверхности, выраженное в 10¹⁶ ионов/см²;
С=М/15, где М - атомная масса выбранного иона;
Т - выбираемое ускоряющее напряжение, выраженное в кВ;
Dn - разница показателей преломления между показателем преломления nS обрабатываемой сапфировой подложки и показателем преломления nM среды, прилегающей к поверхности сапфировой подложки, облучаемой ионами.
13. Способ обработки по п.12, в котором D´C²/(T´Dn) больше или равно 0,1, например больше или равно 0,5 и/или меньше или равно 1, например меньше или равно 0,8.
14. Способ обработки по любому из пп.1-13, в котором указанная сапфировая подложка представляет собой или является частью одного компонента из списка, состоящего из сенсорного экрана, окна, часового стекла, детали осветительного устройства, детали светоизлучающего прибора (LED), линзы.
15. Синтетическая сапфировая подложка, обработанная способом обработки по любому из пп.1-14, на которой отражение падающей волны в видимой области спектра снижено по меньшей мере на одну треть по сравнению с отражением указанной падающей волны в видимой области спектра на необработанной сапфировой подложке.
16. Синтетическая сапфировая подложка по п.15, содержащая по меньшей мере одну поверхность с имплантированными ионами элемента из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S), причем отражение падающей волны в видимом диапазоне на указанной поверхности меньше или равно 2%, например меньше или равно 1%, при измерении на длине волны 560 нм.
17. Емкостная сенсорная панель с высоким пропусканием в видимом диапазоне, содержащая последовательно расположенные:
а) сапфировую подложку, передняя сторона которой обработана способом по любому из пп.1-14 и представляет переднее покрытие;
б) емкостный детекторный слой и
с) дисплейный экран.
18. Емкостная сенсорная панель по п.17, в которой указанная сапфировая подложка имеет толщину меньше или равную 1 мм.
19. Емкостная сенсорная панель по п.17 или 18, содержащая сапфировую подложку за емкостным детекторным слоем, представляющую собой заднее покрытие, которое подвергнуто ионному облучению с помощью ионного пучка, при этом ионы выбраны из ионов атомов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S).
20. Емкостная сенсорная панель по п.19, в которой заднее покрытие из сапфировой подложки имеет толщину меньше или равную 400 мкм, например равную 100 мкм.
21. Емкостная сенсорная панель по п.19 или 20, в которой переднее покрытие, емкостный детекторный слой и заднее покрытие совместно смонтированы и отделены от дисплейного экрана воздушным зазором.
22. Емкостная сенсорная панель по любому из пп.17-21, в которой, по меньшей мере, боковая сторона по меньшей мере одной сапфировой подложки обработана посредством ионного облучения с ионами атомов из списка, состоящего из гелия (He), неона (Ne), аргона (Ar), криптона (Kr), ксенона (Xe), бора (В), углерода (С), азота (N), кислорода (О), фтора (F), кремния (Si), фосфора (P) и серы (S).
23. Емкостная сенсорная панель по любому из пп.17-22, в которой пропускание света, излучаемого указанным дисплейным экраном, например, измеренное на длине волны 560 нм, составляет величину больше или равную 90%, например больше или равную 97%, больше или равную 98%.

---