(57) 1. Прозрачная подложка, покрытая совокупностью тонких слоев, действующих на инфракрасное излучение, содержащих по меньшей мере один функциональный слой, характеризующаяся тем, что совокупность тонких слоев содержит защитное покрытие, осажденное по меньшей мере поверх одной части функционального слоя, причем защитное покрытие содержит
по меньшей мере один нижний защитный слой на основе титана и циркония, причем эти два металла присутствуют в металлической, оксидной или нитридной форме,
по меньшей мере один углеродный верхний защитный слой, который имеет толщину, меньшую или равную 2 нм, внутри которого атомы углерода, находящиеся в основном в состоянии sp²-гибридизации, расположены поверх слоя на основе титана и циркония.
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что она может быть подвергнута термообработке.
3. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что она не подвергнута закалке.
4. Материал по п.1, отличающийся тем, что он подвергнут закалке.
5. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что она поддается закалке и/или бомбировке.
6. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что нижний защитный слой имеет толщину меньшую или равную 5 нм и/или большую или равную 2 нм.
7. Подложка по одному или нескольким предыдущим пунктам, отличающаяся тем, что верхний защитный слой имеет толщину менее 1 нм.
8. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что верхний защитный слой имеет толщину в интервале между 0,2 и 0,8 нм.
9. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что совокупность слоев содержит диэлектрический слой на основе нитрида кремния и/или алюминия, который расположен по меньшей мере поверх одной части функционального слоя и под нижним защитным слоем на основе титана и циркония.
10. Подложка по п.9, отличающаяся тем, что диэлектрический слой на основе нитрида кремния и/или алюминия имеет толщину
меньшую или равную 50 нм и/или
большую или равную 20 нм.
11. Подложка по п.9 или 10, отличающаяся тем, что диэлектрический слой на основе нитрида кремния и/или алюминия находится в контакте с нижним защитным слоем на основе титана и циркония.
12. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что нижний защитный слой на основе титана и циркония характеризуется массовым отношением титана к цирконию Ti/Zr, в интервале между 60/40 и 90/10.
13. Подложка по любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что функциональный слой выбирают из
металлического функционального слоя на основе серебра или металлического сплава, содержащего серебро,
металлического функционального слоя на основе ниобия,
функционального слоя на основе нитрида ниобия.
14. Подложка по любому их предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что пакет тонких слоев содержит по меньшей мере один функциональный металлический слой на основе серебра, по меньшей мере два покрытия на основе диэлектрических материалов, где каждое покрытие содержит по меньшей мере один диэлектрический слой, таким образом, чтобы каждый функциональный металлический слой был осажден между двумя покрытиями на основе диэлектрических материалов.
15. Подложка по любому из пп.13 или 14, отличающаяся тем, что совокупность слоев содержит по меньшей мере один запирающий слой, расположенный под и в контакте с одним функциональным металлическим слоем на основе серебра, и/или по меньшей мере один запирающий слой, расположенный над и в контакте с одним функциональным металлическим слоем на основе серебра, причем запирающие слои выполнены на основе металла, выбранного из ниобия Nb, тантала Та, титана Ti, хрома Cr или никеля Ni или на основе сплава, полученного по меньшей мере из двух этих металлов.
16. Подложка по любому из пп.13-15, отличающаяся тем, что совокупность слоев содержит
покрытие на основе диэлектрических материалов, расположенных под металлическим функциональным слоем на основе серебра, причем покрытие содержит по меньшей мере один диэлектрический слой на основе нитрида кремния и/или алюминия,
функциональный металлический слой на основе серебра,
покрытие на основе диэлектрических материалов, расположенных над функциональным металлическим слоем на основе серебра, причем покрытие содержит по меньшей мере один диэлектрический слой на основе нитрида кремния и/или алюминия,
защитное покрытие.
17. Подложка по п.16, отличающаяся тем, что совокупность слоев содержит между функциональным слоем и указанными покрытиями на основе диэлектрических материалов по запирающему слою.
18. Подложка по любому из предыдущих пунктов, где прозрачная подложка изготовлена
из стекла, а именно натрий-кальций-силикатного, или
из полимера, а именно из полиэтилена, из полиэтилентерефталата или из полиэтиленнафталата.
19. Способ изготовления подложки по п.1, покрытой совокупностью тонких слоев, осажденных катодным распылением, в котором
на прозрачную подложку осаждают по меньшей мере один функциональный слой, затем
осаждают нижний защитный слой на основе титана и циркония, причем эти два металла присутствуют в металлической, оксидной или нитридной форме, поверх диэлектрического слоя на основе нитрида кремния и/или алюминия,
осаждают углеродный верхний защитный слой, который имеет толщину, меньшую или равную 2 нм, полученный путем распыления мишени углерода.
20. Применение подложки по одному из пп.1-18 для изготовления остекления.

---