(57) 1. Применение наночастицы или агрегата наночастиц для улучшения обучения, запоминания и внимания у нуждающегося в этом индивидуума, когда наночастицу или агрегат наночастиц подвергают воздействию электрического поля, где материал наночастицы или агрегата наночастиц выбирают из i) проводящего материала, где проводящий материал представляет собой металл, имеющий стандартный потенциал восстановления Е° выше 0,2, причем данный элемент-металл выбирают из Ir, Pd, Pt, Au и их смеси, или проводящий материал представляет собой органический материал, имеющий в своей структуре смежные sp2-гибридизированные углеродные центры, где данный органический материал состоит из полианилина, полипиррола, полиацетилена, политиофена, поликарбазола и/или полипирена, ii) полупроводящего материала с Eg запрещенной зоны ниже 3,0 эВ, выбранного из элемента из группы IVA Периодической таблицы Менделеева, смешанной композиции элементов из групп III и V Периодической таблицы Менделеева и смешанной композиции элементов из группы II и VI Периодической таблицы Менделеева, iii) изолирующего материала с Eg запрещенной зоны, равной или выше 3,0 эВ, и с диэлектрической постоянной e_ijk, равной или выше 200, выбранного из BaTiO₃, KTaNbO₃, KTaO₃, SrTiO₃ и BaSrTiO₃, и iv) изолирующего материала с запрещенной зоной Eg, равной или выше 3,0 эВ, и с диэлектрической постоянной e_ijk, равной или ниже 100, выбранного из оксида металла, смешанного оксида металла, в которых элемент-металл представляет собой металл, который относится к периоду 3, 5 или 6 Периодической таблицы Менделеева или является лантанидом, и углеродного материала, причем диэлектрическую постоянную e_ijk измеряют при температуре от 20 до 30°C и частоте от 10² Гц вплоть до инфракрасной частоты, и где электрическое поле применяют путем транскраниальной электростимуляции или транскраниальной магнитной стимуляции.
2. Применение наночастицы или агрегата наночастиц для профилактики или лечения патологического стресса у нуждающегося в этом индивидуума, когда наночастицу или агрегат наночастиц подвергают воздействию электрического поля, где материал наночастицы или агрегата наночастиц выбирают из i) проводникового материала, где проводниковый материал представляет собой металл, имеющий стандартный потенциал восстановления Е° выше 0,2, причем данный элемент-металл выбирают из Ir, Pd, Pt, Au и их смеси, или проводящий материал представляет собой органический материал, имеющий в своей структуре смежные sp2-гибридизированные углеродные центры, где данный органический материал состоит из полианилина, полипиррола, полиацетилена, политиофена, поликарбазола и/или полипирена, ii) полупроводникового материала с Eg запрещенной зоны ниже 3,0 эВ, выбранного из элемента из группы IVA Периодической таблицы Менделеева, смешанной композиции элементов из групп III и V Периодической таблицы Менделеева и смешанной композиции элементов из группы II и VI Периодической таблицы Менделеева, iii) изолирующего материала с Eg запрещенной зоны, равной или выше 3,0 эВ, и с диэлектрической постоянной e_ijk, равной или выше 200, выбранного из BaTiO₃, KTaNbO₃, KTaO₃, SrTiO₃ и BaSrTiO₃, и iv) изолирующего материала с запрещенной зоной Eg, равной или выше 3,0 эВ, и с диэлектрической постоянной e_ijk, равной или ниже 100, выбранного из оксида металла, смешанного оксида металла, в которых элемент-металл представляет собой металл, который относится к периоду 3, 5 или 6 Периодической таблицы Менделеева или является лантанидом, и углеродного материала, причем диэлектрическую постоянную e_ijk измеряют при температуре от 20 до 30°C и частоте от 10² Гц вплоть до инфракрасной частоты, и где электрическое поле применяют путем транскраниальной электростимуляции или транскраниальной магнитной стимуляции.
3. Применение по п.1 или 2, где материал наночастицы или агрегата наночастиц состоит из элемента из группы IVA Периодической таблицы Менделеева и легирован носителем заряда, выбранным из Al, В, Ga, In и Р.
4. Применение по любому из пп.1-3, где изолирующий материал с запрещенной зоной Eg, равной или выше 3,0 эВ, и диэлектрической постоянной e_ijk, равной или ниже 100, выбирают из La₂O₃, CeO₂, SiO₂, SnO₂, Ta₂O₅, ZrO₂, HfO₂, Y₂O₃ и алмазного углерода.
5. Применение по любому из пп.1-4, где наночастица или агрегат наночастиц покрыты биосовместимым материалом, который представляет собой средство, сообщающее отрицательный заряд поверхности наночастицы или агрегата наночастиц.
6. Применение по п.5, где средство, сообщающее отрицательный заряд поверхности наночастицы или агрегата наночастиц, выбрано из фосфата, карбоксилата и сульфата.
7. Применение по любому из пп.1-4, где наночастица или агрегат наночастиц является гидрофильной с нейтральным поверхностным зарядом или покрыта биосовместимым материалом, выбранным из гидрофильного средства, сообщающего нейтральный заряд поверхности наночастицы.
8. Применение по п.7, где гидрофильное средство, сообщающее нейтральный заряд поверхности наночастицы, представляет собой средство, экспонирующее функциональную группу, выбранную из спирта (R-OH), альдегида (R-COH), кетона (R-CO-R), сложного эфира (R-COOR), кислоты (R-COOH), тиола (R-SH), сахарида, ангидрида (RCOOOC-R) и пиррола.
9. Применение по любому из пп.2-8, где наночастица или агрегат наночастиц также обеспечивают улучшение обучения, запоминания и внимания у нуждающегося в этом индивидуума.

---