(57) Изобретение относится к плазменным источникам экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) излучения и литографическим системам с их использованием. Применения включают изготовление полупроводниковых устройств, в частности средне- и мелкосерийное производство интегральных схем сверхвысокого разрешения, а также вспомогательные работы при их крупномасштабном производстве. ЭУФ литограф содержит систему освещения устройства формирования рисунка, включающую в себя источник ЭУФ излучения на основе лазерной плазмы с вращающимся мишенным узлом, подающим мишень в зону взаимодействия с импульсным лазерным пучком. Мишень представляет собой образованный под действием центробежной силы слой материала мишени на обращенной к оси вращения поверхности кольцевой канавки, выполненной во вращающемся мишенном узле. Материал мишени обладает текучестью под действием центробежной силы, при этом мишень имеет центробежное ускорение не менее 3000 g и линейную скорость не менее 100 м/с. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала средств ЭУФ литографии за счет значительного упрощения конструкции ЭУФ литографов, уменьшения массы, габаритов, эксплуатационных затрат, расширения спектра их функциональных возможностей, повышения надежности, времени жизни и удобства использования.