(21)	201700228 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2017.04.07
(51)	C25D 3/54 (2006.01) C25D 5/44 (2006.01) C23C 28/02 (2006.01)
(96)	2017/EA/0019 (BY) 2017.04.07
(71)	УЧРЕЖДЕНИЕ БЕЛОРУССКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ" (НИИ ФХП БГУ); ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКИЙ ЦЕНТР НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК БЕЛАРУСИ ПО МАТЕ­РИАЛОВЕДЕНИЮ" (ГНПО "НПЦ НАН БЕЛАРУСИ ПО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЮ") (BY)
(72)	Цыбульская Людмила Сергеевна, Позняк Сергей Кондратьевич, Перевозников Сергей Сергеевич, Шендюков Владислав Сергеевич, Гаевская Татьяна Васильевна, Грабчиков Сергей Степанович, Тишкевич Дарья Ивановна (BY)
(54)	СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОЛСТОСЛОЙНОГО ВИСМУТОВОГО ПОКРЫТИЯ НА АЛЮМИНИЙ И ЕГО СПЛАВЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ЭКРАНОВ

(57) Предлагаемое изобретение относится к гальванотехнике, в частности к способу нанесения толстослойного (2,0 мм и более) висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания экранов для эффективной защиты микросхем и полупроводниковых приборов от ионизирующих излучений. Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы плотного, беспористого, равномерного, обеспечивающего функцию радиационного экрана изделий микроэлектроники. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения толстослойного висмутового покрытия на алюминий и его сплавы для создания радиационных экранов предварительно подготавливают поверхность подложки, проводят химическое осаждение покрытия никель-фосфор при температуре 85-95°С в течение 20-30 мин, затем осуществляют электрохимическое осаждение висмутового покрытия из электролита состава, г/л: оксид висмута 90-120, хлорная кислота 400-450, синтанол 0,5-1,0, резорцин 0,5-1,0, вода - остальное, при температуре 18-60°С, катодной плотности тока 7-10 А/дм², перемешивании электролита со скоростью 600-800 об/мин в присутствии экранов из химически стойких диэлектрических материалов.