(21)	201600424 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2016.05.10
(51)	H01L 39/24 (2006.01) B05D 5/12 (2006.01)
(96)	2016000033 (RU) 2016.05.10
(71)	ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "С-ИННОВАЦИИ" (ООО "С-ИННОВАЦИИ") (RU)
(72)	Мартынова Ирина Александровна, Цымбаренко Дмитрий Михайлович (RU)
(74)	Носырева Е.Л. (RU)
(54)	УСТАНОВКА ДЛЯ ПЛАНАРИЗАЦИИ ПОДЛОЖЕК СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ЛЕНТ И СПОСОБ ПЛАНАРИЗАЦИИ ПОДЛОЖЕК

(57) Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов второго поколения и может быть использовано в промышленном производстве длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих проводников (ВТСП) для создания токопроводящих кабелей, токограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д. Установка для непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения включает установленные один за одним узлы для нанесения аморфного оксидного покрытия, где каждый узел содержит последовательно расположенные рабочую ячейку, низкотемпературную и высокотемпературную печи, и два поворотных ролика, один из которых установлен в рабочей ячейке, а второй - на входе в высокотемпературную печь; резервуар для хранения рабочего раствора; систему циркуляции раствора, связанную с упомянутым резервуаром и рабочими ячейками упомянутых узлов, систему подачи кислородсодержащего газа в высокотемпературную печь и натяжной вал, где упомянутые узлы для нанесения оксидных покрытий размещены относительно натяжного вала с обеспечением перемещения ленты от узла к узлу по трехмерной спирали. Также раскрывается способ планаризации подложек. Изобретение позволит повысить производительность процесса планаризации за счет сокращения необходимого числа циклов нанесения оксидного аморфного покрытия до достижения заданных значений шероховатости поверхности, улучшить качество ленты подложки за счет уменьшения механической нагрузки на ленту и снижения уровня загрязнения оксидного аморфного покрытия остаточным углеродом.