(11)	027806 (13) B1	Разделы: A B C D E F G H
(21)	201492190
(22)	2013.05.24
(51)	C09K 19/52 (2006.01) G02F 1/00 (2006.01)
(31)	1209235.9; 1214439.0
(32)	2012.05.25; 2012.08.13
(33)	GB
(43)	2015.05.29
(86)	PCT/GB2013/051368
(87)	WO 2013/175225 2013.11.28
(71)	(73) ДЖОНСОН МЭТЬЮ ПЛС (GB)
(72)	Коулз Гарри, Хатчингс Иэн, Гардинер Дэмиэн, Хсиао Вен-Кай, Хэндс Филип, Моррис Стефен, Уилкинсон Тимоти (GB)
(74)	Нилова М.И. (RU)
(54)	СПОСОБ ПЕЧАТИ КАПЕЛЬ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА ДЛЯ ЛАЗЕРНЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ЖИДКОМ ПОЛИМЕРНОМ РАСТВОРЕ И УСТРОЙСТВО, ПОЛУЧАЕМОЕ УКАЗАННЫМ СПОСОБОМ

(57) 1. Способ изготовления фотонного устройства, в котором:

i) подают заданную дозу жидкокристаллического материала объема V,

причем объем V совпадает с объемом сферы диаметром D1; и

ii) осаждают указанную заданную дозу на поверхность слоя текучего материала с образованием жидкокристаллического покрытия, причем

текучий материал и жидкокристаллический материал, по существу, не способны к смешению,

жидкокристаллическое покрытие принимает форму, деформированную относительно первоначальной формы указанного подаваемого жидкокристаллического материала вследствие взаимодействия со слоем текучего материала,

жидкокристаллическое покрытие имеет максимальную длину L1, измеренную в направлении, параллельном поверхности слоя текучего материала перед осаждением, причем L1 больше, чем D1.

2. Способ по п.1, в котором указанную заданную дозу получают способом струйной печати.

3. Способ по п.1 или 2, в котором жидкокристаллическое покрытие имеет минимальную ширину W1, измеренную в направлении, параллельном поверхности слоя текучего материала перед осаждением, причем отношение W1 к D1 больше чем 0,1:1.

4. Способ по любому из пп.1-3, в котором осажденное покрытие имеет высоту H1, измеренную в направлении, перпендикулярном поверхности слоя текучего слоя материала перед осаждением, причем L1 больше, чем H1.

5. Способ по любому из пп.1-4, в котором отношение L1 к D1 не превышает 20:1.

6. Способ по любому из пп.1-5, в котором текучий материал представляет собой полимерный раствор.

7. Способ по любому из пп.1-6, включающий операцию отверждения для преобразования слоя текучего материала в опорный слой.

8. Способ по п.7, в котором операция отверждения для преобразования слоя текучего материала в опорный слой включает операцию сокращения слоя текучего материала в размерах.

9. Способ по п.7 или 8, в котором после отверждения для преобразования слоя текучего материала в опорный слой отношение длины L1 покрытия из жидкокристаллического материала к D1 не превышает 20:1.

10. Способ по любому из пп.1-9, в котором жидкокристаллический материал представляет собой киральный жидкокристаллический материал.

11. Способ по любому из пп.1-10, в котором текучий материал содержит компонент упорядочения, способствующий упорядочению в жидкокристаллическом материале.

12. Способ по любому из пп.1-11, в котором слой текучего материала обладает, по существу, постоянной толщиной по слою перед осаждением жидкокристаллического материала.

13. Способ по любому из пп.1-12, дополнительно включающий операцию нанесения слоя защитного материала поверх покрытия из жидкокристаллического материала.

14. Способ по любому из пп.1-13, в котором дополнительно повторяют операции i) и ii).

15. Способ по любому из пп.1-14, в котором множество заданных доз жидкокристаллического материала осаждают на одном участке на слой текучего материала.

16. Способ по любому из пп.1-15, в котором слой текучего материала образован на подложке посредством струйного осаждения непрерывной пленки, отдельных капель или групп соединенных капель текучего материала.

17. Способ по любому из пп.1-16, в котором жидкокристаллический материал является активной средой.

18. Способ по любому из пп.1-17, в котором жидкокристаллический материал содержит флуоресцентный краситель, флуоресцентный лазерный краситель, квантовую точку или другие добавки для сбора или усиления света.

19. Фотонное устройство, содержащее по меньшей мере одно покрытие из жидкокристаллического материала, образованное на подстилающем слое, поверхность которого окружает покрытие из жидкокристаллического материала, причем

покрытие из жидкокристаллического материала имеет

максимальную длину L2, измеренную в направлении, параллельном поверхности подстилающего слоя, окружающей покрытие из жидкокристаллического материала, и

максимальную высоту Н2, измеренную в направлении, перпендикулярном к поверхности подстилающего слоя, окружающей покрытие из жидкокристаллического материала,

так что L2 больше Н2, причем

форма жидкокристаллического покрытия выполнена такой, что оно выступает над поверхностью подстилающего слоя, окружающей покрытие из жидкокристаллического материала.

20. Фотонное устройство по п.19, содержащее множество указанных покрытий из жидкокристаллического материала.

21. Фотонное устройство по любому из пп.19 или 20, в котором форма жидкокристаллического покрытия выполнена такой, что оно выступает ниже поверхности подстилающего слоя, окружающей покрытие из жидкокристаллического материала.

22. Фотонное устройство по любому из пп.19-21, в котором значение отношения L2 к Н2 находится в диапазоне от 2:1 до 200:1.

23. Способ использования фотонного устройства по любому из пп.19-22, при котором фотонное устройство облучают источником электромагнитного излучения для вырабатывания соответствующего отклика, обнаруживаемого датчиком или посредством наблюдения.

24. Способ по п.23, при котором фотонное устройство содержит лазерный краситель, при этом в качестве источника электромагнитного излучения используют источник, обеспечивающий оптическую накачку, достаточную для получения лазерного излучения в покрытии из жидкокристаллического материала.

25. Способ по п.23, при котором фотонное устройство содержит лазерный краситель или флуоресцентный краситель и устройство работает ниже порога генерации.

26. Способ по п.23, при котором фотонное устройство облучают для получения избирательного отражения облучающего электромагнитного излучения от фотонного устройства на основании фотонной запрещенной зоны фотонного устройства.