(21)	201600106 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2015.12.30
(51)	H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
(96)	2015/EA/0165 (BY) 2015.12.30
(71)	БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (БГУ) (BY)
(72)	Анищик Виктор Михайлович, Углов Владимир Васильевич, Квасов Николай Трофимович, Асташинский Валентин Миронович, Подсобей Григорий Захарович, Кудактин Роман Сергеевич (BY)
(54)	СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

(57) Изобретение относится к области оптоэлектроники и фотовольтаики и может быть использовано при структурировании поверхности и создании фотовольтаических структур на основе кремния дырочного типа проводимости различной кристаллографической ориентации. Задачей изобретения является создание радиационно и термически стойких фотовольтаических структур с развитой поверхностью за счет формирования потенциального барьера, обусловленного образованием дислокаций в модифицированном слое. Задача решается тем, что в способе обработки поверхности монокристаллического кремния, включающем обработку компрессионным плазменным потоком в среде рабочего газа в постоянном магнитном поле, кремний предварительно очищают в спиртосодержащей ультразвуковой ванне, нагревают до температуры 200-400°С, после чего одновременно воздействуют на кремний направленным перпендикулярно его поверхности постоянным электрическим полем напряженностью 10-20 кВ/м, постоянным магнитным полем с индукцией 0,22-100 мТл и компрессионным плазменным потоком длительностью 90-110 мкс с плотностью поглощенной энергии 15-35 Дж/см² под углом 40-70° к его поверхности, затем обработанный кремний отжигают при температуре 400°С в течение 30 мин.