(11)	026679 (13) B1	Разделы: A B C E F G H
(21)	201390177
(22)	2011.07.20
(51)	C03C 17/34 (2006.01)
(31)	1056218
(32)	2010.07.28
(33)	FR
(43)	2013.06.28
(86)	PCT/FR2011/051749
(87)	WO 2012/022876 2012.02.23
(71)	(73) СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС (FR)
(72)	Дюрандо Анн, Харченко Андрий, Руа Себастьен, Жерардэн Адья, Лоррен Анн (FR)
(74)	Медведев В.Н. (RU)
(54)	ОСТЕКЛЕНИЕ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

(57) 1. Остекление, содержащее стеклянную подложку (1), снабженную на одной из своих сторон, предназначенной для образования наружной стороны указанного остекления в положении применения, многослойной системой тонких слоев, содержащей, идя от подложки (1), слой (2) прозрачного электропроводящего оксида (ТСО), промежуточный слой (3) с показателем преломления в интервале от 1,40 до 1,5 и произведением геометрической толщины промежуточного слоя (3) на его показатель преломления, составляющим Y, и фотокаталитический слой (4), имеющий значение X произведения геометрической толщины фотокаталитического слоя (4) на его показатель преломления, которое не превышает 50 нм, причем указанные X и Y, выраженные в нанометрах, таковы, что 110 × e^-0,025X≤Y≤135 × e^-0,018X.

2. Остекление по п.1, являющееся многослойным стеклопакетом, в частности с двумя или тремя стеклянными листами.

3. Остекление по одному из предыдущих пунктов, причем слой (2) прозрачного электропроводящего оксида (ТСО) является слоем оксида олова, легированного фтором, или слоем смешанного оксида олова и индия.

4. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором показатель преломления слоя (2) прозрачного электропроводящего оксида (ТСО) лежит в диапазоне от 1,7 до 2,5.

5. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором коэффициент излучения слоя (2) прозрачного электропроводящего оксида (ТСО) меньше или равен 0,4, в частности 0,3.

6. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором промежуточный слой (3) имеет в основе оксид кремния.

7. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором фотокаталитический слой (4) имеет в основе оксид титана.

8. Остекление по предыдущему пункту, в котором фотокаталитический слой (4) является слоем оксида титана, показатель преломления которого составляет от 2,0 до 2,5.

9. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором X не превышает 40 нм, в частности 30 нм.

10. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором защитный слой (5) располагается между слоем (2) прозрачного электропроводящего оксида, в частности смешанного оксида олова и индия, и промежуточным слоем (3).

11. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором между подложкой (1) и слоем (2) прозрачного электропроводящего оксида помещен нейтрализующий слой или многослойная система нейтрализующих слоев (6).

12. Остекление по предыдущему пункту, в котором слой (2) прозрачного электропроводящего оксида является слоем смешанного оксида олова и индия и между подложкой (1) и слоем или системой нейтрализующих слоев (6) помещают адгезионный слой (7).

13. Остекление по одному из предыдущих пунктов, в котором многослойная система, расположенная на наружной стороне, выбрана из следующих многослойных систем:

стекло/SiOC/SnO₂:F/SiO₂/TiO₂

стекло/SiSnO_x/SnO₂:F/SiO₂/TiO₂

стекло/SiO₂/SiO_xN_y/ITO/Si₃N₄/SiO₂/TiO₂

стекло/SiO₂/Si₃N₄/SiO₂/ITO/Si₃N₄/SiO₂/TiO₂

стекло/Si₃N₄/SiO₂/ITO/Si₃N₄/SiO₂/TiO₂

14. Остекление по одному из предыдущих пунктов, являющееся тройным стеклопакетом, в котором по меньшей мере одна другая сторона покрыта многослойной системой слоев с коэффициентом излучения не выше 0,1.

15. Способ получения остекления по одному из предыдущих пунктов, в котором на сторону стеклянной подложки, предназначенную для образования наружной стороны остекления, последовательно осаждают катодным напылением слой (2) прозрачного электропроводящего оксида (ТСО), промежуточный слой (3) с показателем преломления в интервале от 1,40 до 1,5 и произведением геометрической толщины промежуточного слоя (3) на его показатель преломления, составляющим Y, и фотокаталитический слой (4), имеющий значение X произведения геометрической толщины фотокаталитического слоя (4) на его показатель преломления, которое не превышает 50 нм, причем указанные X и Y, выраженные в нанометрах, таковы, что

110×e^-0,025x ≤Y≤135×e^-0,018x,

затем указанные слои подвергают термообработке, предназначенной для улучшения кристаллизации слоя ТСО и фотокаталитического слоя, причем указанная термическая обработка выбрана из закалки, отжига, быстрого отжига.

16. Способ по предыдущему пункту, в котором быстрый отжиг проводится с помощью факела, плазменной горелки или лазерного излучения.