(21)	201600460 (13) A1	Разделы: A B C E F G H
(22)	2013.12.12
(51)	G02F 1/00 (2006.01) C30B 33/04 (2006.01)
(86)	PCT/RU2013/001115
(87)	WO 2015/088371 2015.06.18
(71)	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИСиС" (RU)
(72)	Малинкович Михаил Давыдович, Быков Александр Сергеевич, Григорян Седрак Гургенович, Жуков Роман Николаевич, Киселев Дмитрий Александрович, Кубасов Илья Викторович, Пархоменко Юрий Николаевич (RU)
(54)	СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

(57) Изобретение относится к информации о монокристаллах сегнетоэлектриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, таких как зондовых микроскопов, лазерных резонаторов, при юстировке оптически и т.д. Достигаемый технический результат заключается в обеспечении формирования бидоменной структуры при обеспечении повышения эффективности и стабильности преобразования электрического сигнала в механические упругие деформации, чувствительности, точности за счет отсутствия механического гистерезиса, ползучести и остаточных деформаций в широком интервале рабочих температур при высокой линейности характеристики "электрическое напряжение - механическая деформация".