(11)	024669 (13) B1	Разделы: A B C D E F G H
(21)	201300653
(22)	2009.07.16
(51)	G01M 3/00 (2006.01) G01H 11/08 (2006.01)
(31)	0813014.8
(32)	2008.07.16
(33)	GB
(43)	2013.11.29
(62)	201170203; 2009.07.16
(71)	(73) РОУЗМАУНТ МЕЖЕРМЕНТС ЛИМИТЕД (GB)
(72)	Роуз Даррен Майкл, Харри Роджер Томас (GB)
(74)	Медведев В.Н. (RU)
(54)	ШИРОКОПОЛОСНЫЙ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ДАТЧИК И ДЕТЕКТОР, СОДЕРЖАЩИЙ ЕГО

(57) 1. Широкополосный ультразвуковой датчик для детектирования ультразвука, распространяющегося по воздуху от источника, в пределах широкополосного частотного диапазона детектирования, содержащий корпус; пьезоэлектрический кристалл, имеющий две чувствительные поверхности и по меньшей мере одну внешнюю поверхность между ними, причем пьезоэлектрический кристалл расположен в корпусе, все поверхности пьезоэлектрического кристалла механически изолированы от этого корпуса и механическая изоляция обеспечивается посредством демпфирующего материала, удерживающего этот пьезоэлектрический кристалл, который обеспечивает, по существу, свободную деформацию пьезоэлектрического кристалла в ответ на характерный ультразвук в пределах широкополосного частотного диапазона детектирования так, что между двумя его чувствительными поверхностями генерируется напряжение, при этом материал препятствует вибрации пьезоэлектрического кристалла, когда он подвергается воздействию вибраций, находящихся за пределами широкополосного частотного диапазона детектирования.

2. Ультразвуковой датчик по п.1, в котором отношение плотности пьезоэлектрического кристалла к плотности демпфирующего материала находится в пределах приблизительно от 1:50 до 1:60.

3. Ультразвуковой датчик по пп.1 или 2, в котором демпфирующий материал содержит пеноматериал.

4. Ультразвуковой датчик по п.3, в котором пеноматериал представляет собой пеноматериал с закрытыми порами.

5. Ультразвуковой датчик по любому из пп.1-3 или 4, в котором демпфирующий материал окружает и находится в контакте, по существу, со всей по меньшей мере одной внешней поверхностью пьезоэлектрического кристалла.

6. Ультразвуковой датчик по любому из пп.1-5, в котором самый длинный размер каждой из двух чувствительных поверхностей не длиннее приблизительно двух самых коротких длин волн в широкополосном частотном диапазоне детектирования.

7. Ультразвуковой датчик по любому из пп.1-6, в котором пьезоэлектрический кристалл имеет такую длину, что резонансная точка пьезоэлектрического кристалла лежит за пределами широкополосного частотного диапазона детектирования.

8. Ультразвуковой датчик по любому из пп.1-7, дополнительно содержащий клетку Фарадея для изолирования пьезоэлектрического кристалла от электромагнитного шума.

9. Ультразвуковой датчик по п.8, в котором клетка Фарадея окружена демпфирующим материалом для демпфирования внешней вибрации датчика.

10. Детектор, содержащий широкополосный датчик по любому из пп.1-9.