(21)	201500102 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.12.23
(51)	H01L 21/66 (2006.01) G01R 31/303 (2006.01)
(96)	2014/EA/0115 (BY) 2014.12.23
(71)	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ИНТЕГРАЛ" - УПРАВЛЯЮЩАЯ КОМПАНИЯ ХОЛДИНГА "ИНТЕГРАЛ" (BY)
(72)	Турцевич Аркадий Степанович, Кондратенко Дмитрий Сергеевич, Осипов Владимир Егорович, Солодуха Виталий Александрович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Васьков Валентин Борисович (BY)
(54)	СПОСОБ ПРОВЕДЕНИЯ ИСПЫТАНИЙ НА ТЕРМОПОЛЕВУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

(57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля уровня загрязнения пластин ионами при производстве интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что способ проведения испытаний на термополевую стабильность интегральных микросхем, включающий размещение изготовленной полупроводниковой пластины с кристаллами интегральной микросхемы на подогреваемом столике с контактирующим устройством, проведение первого измерения порогового напряжения МДП-транзистора, проведение выдержки при подаче напряжения положительной полярности на затвор относительно подложки и напряженности электрического поля 2-3 МВ/см при повышенной температуре 160-200°С, проведение второго измерения порогового напряжения МДП-транзистора, определение величины термополевой стабильности как разности между вторым и первым измерениями порогового напряжения МДП-транзистора; причем первое и второе измерения порогового напряжения МДП-транзистора проводят при повышенной температуре и перед первым измерением порогового напряжения МДП-транзистора на затвор и сток подают отрицательное напряжение. Техническим результатом изобретения является ускорение и автоматизация процесса проведения испытаний на термополевую стабильность.