(21)	201500073 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2014.12.24
(51)	H01L 27/15 (2006.01)
(96)	2014000156 (RU) 2014.12.24
(71)	ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МИКРОСЕНСОР ТЕХНОЛОДЖИ" (RU)
(72)	Стоянов Николай Деев, Журтанов Бижигит Ержигитович, Кижаев Сергей Сергеевич, Астахова Анастасия Павловна (RU)
(74)	Нилова М.И. (RU)
(54)	СВЕТОДИОДНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ

(57) Изобретение в целом относится к области полупроводниковых устройств и, в частности, к светодиодному излучателю, предназначенному для излучения в средней инфракрасной области 1600-5000 нм и содержащему светодиодные чипы. Предложен светодиодный излучатель средней инфракрасной области 1600-5000 нм, содержащий корпус по меньшей мере с четырьмя светодиодными чипами на основе первых гетероструктур, имеющих подложку, содержащую GaSb, расположенный над подложкой активный слой, содержащий твердый раствор GalnAsSb, расположенный над активным слоем ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AIGaAsSb, расположенный над ограничительным слоем контактный слой, содержащий GaSb, и буферный слой, содержащий твердый раствор GalnAsSb, и/или на основе вторых гетероструктур, имеющих подложку, содержащую InAs, барьерный слой, содержащий InSbP, и активный слой, содержащий InAsSb(P) и расположенный на барьерном слое или под ним, причем указанные по меньшей мере четыре светодиодных чипа смонтированы непосредственно на одной общей подложке.