|
| |
(21) | 201590727 (13) A1 |
    Разделы: A B C D E F G H  |
(22) | 2013.12.18 |
(51) | C23C 16/40 (2006.01)
C03C 17/00 (2006.01)
C23C 16/509 (2006.01)
C23C 16/54 (2006.01)
H01J 37/32 (2006.01) |
(31) | 12199080.8 |
(32) | 2012.12.21 |
(33) | EP |
(86) | PCT/JP2013/007433 |
(87) | WO 2014/097621 2014.06.26 |
(71) | АСАХИ ГЛАСС КОМПАНИ ЛИМИТЕД (JP) |
(72) | Тиксон М. Эрик, Мишель М. Эрик, Леклерк М. Жозеф (BE) |
(74) | Квашнин В.П. (RU) |
(54) | ПАРА ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ПЛАЗМЕННОГО ПРОЦЕССА DBD |
(57) Изобретение касается устройства (10) для обработки поверхности подложки (1) посредством диэлектрического барьерного разряда, обеспечивающего возможность образования холодной нитевидной плазмы при атмосферном давлении, содержащего реакционную камеру, в которой расположены средства опоры и/или перемещения подложки (2), и по меньшей мере два электрода (3, 4), расположенные параллельно с каждой стороны средств опоры и/или перемещения подложки (2), из которых один электрод (3) предназначен для приведения к высокому напряжению, а противоэлектрод (4) подлежит заземлению. Оно отличается тем, что противоэлектрод (4) имеет ширину (lсе) и длину (Lce), соответственно, меньше ширины (lе) и длины (Le) электрода (3) и тем, что противоэлектрод (4) расположен так, чтобы он был заключен в ортогональной проекции (5) электрода (3) на плоскость, содержащую противоэлектрод (4). Изобретение также касается процесса обработки поверхности, в частности, для осаждения слоя, предусматривающего такое устройство.
|
