(21)	201200073 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2011.12.29
(51)	H05H 15/00 (2006.01)
(96)	2011000183 (RU) 2011.12.29
(71)	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
(72)	Пушкарев Александр Иванович, Исакова Юлия Ивановна (RU)
(54)	ИОННЫЙ ДИОД С МАГНИТНОЙ САМОИЗОЛЯЦИЕЙ

(57) Изобретение относится к ускорительной технике и предназначено для получения мощных пучков заряженных частиц. Технический результат заключается в повышении эффективности генерации мощного ионного пучка. Ионный диод с магнитной самоизоляцией содержит потенциальный электрод, выполненный в виде плоского диска, и полосковый заземленный электрод, который изогнут в продольном направлении по спирали Архимеда, лежащей в плоскости, параллельной потенциальному электроду. Длина заземленного электрода L выбирается из условия L>n_др×t_ион, а расстояние между соседними витками заземленного электрода h выбирается из условия h>2n_пл×t_имп, где n_др - скорость дрейфа электронов в анод-катодном зазоре ионного диода; t_ион - время ускорения ионов в анод-катодном зазоре диода; n_пл - скорость расширения взрывоэмиссионной плазмы на заземленном электроде; t_имп - длительность второго импульса напряжения, приложенного к потенциальному электроду.