(21)	201200923 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2007.08.23
(51)	H01L 21/306 (2006.01)
(31)	200710135836.2
(32)	2007.07.16
(33)	CN
(62)	201000134; 2007.08.23
(71)	ВУКСИ САНТЕХ ПАУЭР КО., ЛТД. (CN)
(72)	Джи Джинджиа, Ши Женрон, Кин Юсен (CN)
(74)	Тагбергенова М.М. (KZ)
(54)	СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ (ВАРИАНТЫ)

(57) Изобретение относится к области промышленного производства полупроводников. Изобретение предлагает способы химической обработки только нижней поверхности полупроводниковой подложки, включающие стадии размещения полупроводниковой подложки над химическим раствором при помощи вала и установку нижней поверхности полупроводниковой подложки на определенном расстоянии от поверхности жидкости химического раствора; химическую обработку нижней поверхности полупроводниковой подложки подачей струи химического раствора на нижнюю поверхность полупроводниковой подложки струйным аппаратом и таким образом смачивание нижней поверхности полупроводниковой подложки; в которых во время подачи струи струйным аппаратом смачивают только нижнюю поверхность полупроводниковой подложки, не затрагивая верхней поверхности полупроводниковой подложки; в течение всего процесса химической обработки нижняя поверхность полупроводниковой подложки не контактирует с поверхностью жидкости химического раствора за исключением места подачи струи, в котором струйным аппаратом подают струю химического раствора на нижнюю поверхность полупроводниковой подложки. Предлагаемые способы позволяют выполнить химическую обработку одной стороны полупроводниковой подложки без какой-либо защиты ее другой стороны.