(21)	201100298 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2009.08.04
(51)	H05H 1/00 (2006.01) H01L 21/469 (2006.01)
(31)	61/137,839
(32)	2008.08.04
(33)	US
(86)	PCT/US2009/052679
(87)	WO 2010/017185 2010.02.11
(71)	ЭЙ-ДЖИ-СИ ФЛЕТ ГЛАСС НОРТ ЭМЕРИКЕ, ИНК. (US); АСАХИ ГЛАСС КО., ЛТД. (JP); ЭЙ-ДЖИ-СИ ГЛАСС ЮЭРОП (BE)
(72)	Машвитц Питер (US)
(74)	Веселицкая И.А., Пивницкая Н.Н., Кузенкова Н.В., Веселицкий М.Б., Каксис Р.А., Комарова О.М., Белоусов Ю.В. (RU)
(54)	ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ И СПОСОБЫ НАНЕСЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАЗМЕННО-ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

(57) В заявке описаны новые источники плазмы, пригодные для использования в технологии нанесения тонкопленочных покрытий, и способы применения этих источников. В частности, в настоящем изобретении предложены новые линейные и двумерные источники плазмы, которые создают линейную и двумерную плазму соответственно, которая подходит для плазменно-химического осаждения из газовой фазы. В настоящем изобретении также предложены способы изготовления тонкопленочных покрытий и способы повышения эффективности этих способов нанесения покрытия.