(21)	201070735 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2008.12.19
(51)	C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01)
(31)	20075944
(32)	2007.12.20
(33)	FI
(86)	PCT/FI2008/050769
(87)	WO 2009/080889 2009.07.02
(71)	БЕНЕК ОЙ (FI)
(72)	Соининен Пекка, Снек Сами (FI)
(74)	Дощечкина В.В., Липатова И.И., Рыбаков В.М., Новоселова С.В., Хмара М.В. (RU)
(54)	СПОСОБ ПОКРЫТИЯ

(57) Настоящее изобретение относится к способу покрытия и/или легирования поверхности подложки, внутренней поверхности структуры или поверхности другой детали, подлежащим обработке в реакционном пространстве методом послойного атомного осаждения (ALD-метод). В соответствии со способом подлежащую обработке поверхность подложки поочередно подвергают повторяющимся реакциям насыщения поверхности исходными материалами путем подачи последовательных импульсов исходных материалов в реакционное пространство. В соответствии с настоящим изобретением в реакционное пространство подают импульс исходных материалов в заданном количестве; количество/концентрацию исходных материалов и/или продуктов их реакции измеряют в реакционном пространстве в момент импульса и/или после импульса либо непрерывно; количество исходных материалов, подлежащее подаче в реакционное пространство при следующем цикле, определяют в зависимости от результатов измерения, полученных на этапе b); и следующий импульс исходных материалов, количество которых соответствует результатам измерения, полученным на этапе с), подают в реакционное пространство.