(57) 1. Устройство для лечения магнитными полями, содержащее
первое средство для создания первого магнитного поля,
второе средство для создания второго магнитного поля, при этом первое и второе средства обеспечивают возможность создания ядерного магнитного резонанса, а также
плоскую подставку или коврик, приводимые в контакт с участком тела пациента, подлежащим лечению,
отличающееся тем, что первое и второе средства расположены в плоскости внутри подставки или коврика.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что второе средство обеспечивает создание переменного поля.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что в зоне лечения над верхней поверхностью подставки или коврика вектор магнитной индукции первого магнитного поля направлен под острым углом, а вектор магнитной индукции второго магнитного поля направлен под тупым углом к верхней поверхности.
4. Устройство по пп.1, 2 или 3, отличающееся тем, что второе магнитное поле осциллирует, по меньшей мере, время от времени, с частотой, соответствующей частоте спинового резонанса ткани части тела пациента в первом магнитном поле.
5. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что второе средство содержит катушку.
6. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что второе средство содержит тороидальную катушку, ось которой проходит практически под прямым углом к поверхности подставки или коврика.
7. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что первое средство содержит две или четыре катушки, между которыми расположено второе средство.
8. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что подставка или коврик содержат наполнение, в которое встроены первое и/или второе средства.
9. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что подставка или коврик содержат мягкую оболочку с отверстием, которое можно закрывать, предназначенное для того, чтобы размещать в нем и/или извлекать из него первое и/или второе средства.
10. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что подставка или коврик разделены на две, три или большее число частей таким образом, что подставку или коврик можно складывать между этими частями.
11. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что первое средство создает переменное во времени магнитное поле.
12. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что первое средство содержит по меньшей мере один постоянный магнит и по меньшей мере одну катушку.
13. Устройство по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что модуль и/или направление вектора напряженности первого магнитного поля изменяют.
14. Устройство по одному из пп.1-13, отличающееся тем, что подставка представляет собой процедурный стол, кушетку или процедурный табурет, снабженные крыльями, и/или лапами, и/или покрывалом, которые можно расположить вокруг части тела, в частности, головы больного.
15. Система для терапевтического лечения магнитными полями по меньшей мере одной части тела пациента, содержащая
устройство по любому из пп.1-14 и
устройство управления первым и/или вторым средствами, создающими первое и второе магнитные поля, таким образом, чтобы имитировать перемещение части тела, находящейся в зоне лечения, в магнитном поле Земли.
16. Система по п.15, отличающаяся тем, что выстраивание макроскопической намагниченности, которая создается спинами, осуществляют путем изменения первого и второго магнитных полей во времени.
17. Система по п.15 или 16, отличающаяся тем, что устройство управления обеспечивает возможность адиабатического изменения направления намагниченности ткани.
18. Система по одному из пп.15-17, отличающаяся тем, что вектор индукции второго магнитного поля направлен под прямым углом к вектору индукции первого магнитного поля.
19. Система по одному из пп.15-18, отличающаяся тем, что второе магнитное поле переменное.
20. Система по одному из пп.15-19, отличающаяся тем, что первое магнитное поле имеет в зоне лечения индукцию 0,5-500 Гс, в частности, 10-50 Гс и, в частности, в пределах 23-24 Гс.
21. Система по одному из пп.15-20, отличающаяся тем, что второе магнитное поле имеет в зоне лечения частоту 1 кГц-1 МГц, в частности, 2 кГц-200 кГц и, в частности, приблизительно 100 кГц.
22. Система по одному из пп.15-21, отличающаяся тем, что второе магнитное поле является амплитудно-модулированным.
23. Система по одному из пп.15-22, содержащая средство для изменения модуля и/или направления вектора напряженности первого магнитного поля во времени.
24. Система по одному из пп.15-23, отличающаяся тем, что первое магнитное поле является амплитудно-модулированным и, в частности, длительность периода амплитудной модуляции соответствует времени релаксации спиновой решетки ткани, подлежащей лечению.
25. Система по п.24, отличающаяся тем, что первое магнитное поле принимает величину между минимальной и максимальной индукции магнитного поля, при которой частота второго магнитного поля соответствует частоте спинового резонанса.
26. Система по п.24 или 25, отличающаяся тем, что длительность периода изменения первого магнитного поля равна 1 мс-10 с, в частности, 10 мс-1 с и, в частности, приблизительно 200 мс.
27. Система по одному из пп.24-26, отличающаяся тем, что второе магнитное поле включается, когда первое магнитное поле спадает, и отключается, когда первое магнитное поле нарастает, или наоборот.
28. Система по одному из пп.15-27, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит третье средство, представляющее собой постоянный магнит и четвертое средство для создания четвертого магнитного поля, изменяющегося во времени.
29. Система по п.28, отличающаяся тем, что постоянный магнит представляет собой ферритовый магнит, а четвертое средство содержит катушку.
30. Система по п.28 или 29, отличающаяся тем, что третье и четвертое магнитные поля в зоне лечения имеют практически параллельные или антипараллельные вектора магнитной индукции.
31. Система по одному из пп.28-30, отличающаяся тем, что третье магнитное поле имеет в зоне лечения индукцию 0,5-500 Гс, в частности, 10-50 Гс и, в частности, приблизительно 23 Гс.
32. Система по одному из пп.28-31, отличающаяся тем, что четвертое магнитное поле может изменяться в зоне лечения от 0 до ± 5 Гс, в частности, от 0 до ± 2 Гс и, в частности, от 0 до ± 0,5 Гс.
33. Система по одному из пп.15-32, содержащая средство для изменения частоты второго магнитного поля, в частности, между 1 кГц и 1 МГц, в частности, между 2 и 200 кГц и, в частности, между 90 и 110 кГц.
34. Система по п.33, отличающаяся тем, что направление макроскопической намагниченности изменяется изменением частоты второго магнитного поля.
35. Система по одному из пп.15-34, отличающаяся тем, что первое магнитное поле является, по существу, постоянным.
36. Способ терапевтического лечения магнитными полями в зоне лечения, отличающийся тем, что по меньшей мере одну часть тела пациента помещают в устройство по одному из предыдущих пп.1-14 или в систему по одному из пп.15-35.
37. Способ по п.36, отличающийся тем, что спины создают макроскопическую намагниченность, выстраивание которой изменяют путем изменения поля лечения во времени.
38. Способ по п.36 или 37, отличающийся тем, что выстраивание намагниченности ткани изменяют адиабатически.
39. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что вектор индукции второго магнитного поля направлен практически под прямым углом к вектору индукции первого магнитного поля.
40. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что второе магнитное поле переменное.
41. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что первое магнитное поле имеет в зоне лечения индукцию 0,5-500 Гс, в частности, 10-50 Гс и, в частности, в пределах 23-24 Гс.
42. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что частота второго магнитного поля в зоне лечения изменяется между 1 кГц и 1 МГц, в частности, между 2 и 200 кГц и, в частности, между 90 и 110 кГц.
43. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что второе магнитное поле является амплитудно-модулированным.
44. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что модуль и/или направление вектора напряженности первого магнитного поля изменяется во времени.
45. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что первое магнитное поле является амплитудно-модулированным и, в частности, длительность периода амплитудной модуляции соответствует времени релаксации спиновой решетки ткани, подлежащей лечению.
46. Способ по п.45, отличающийся тем, что первое магнитное поле принимает величину между минимальной и максимальной индукцией магнитного поля, при которой частота второго магнитного поля соответствует частоте спинового резонанса.
47. Способ по п.45 или 46, отличающийся тем, что длительность периода изменения первого магнитного поля равна 1 мс-10 с, в частности, 10 мс-1 с и, в частности, приблизительно 200 мс.
48. Способ по одному из пп.44-46, отличающийся тем, что второе магнитное поле включается, когда первое магнитное поле спадает, и отключается, когда первое магнитное поле нарастает, или наоборот.
| 
