(57) 1. Подложка матрицы на основе переключения краевых полей (подложка матрицы FFS), содержащая
подложку;
первый металлический слой, нанесенный на подложку с образованием линии сканирования и электрода затвора тонкопленочного транзистора;
первый изолирующий слой, нанесенный на первый металлический слой, для изоляции первого металлического слоя и второго металлического слоя друг от друга, при этом второй металлический слой нанесен на первый изолирующий слой с образованием линии данных, электрода истока тонкопленочного транзистора и электрода стока тонкопленочного транзистора;
второй изолирующий слой, нанесенный на второй металлический слой, для изоляции второго металлического слоя и слоя прозрачного электрода друг от друга, при этом слой прозрачного электрода нанесен на второй изолирующий слой с образованием прозрачного электрода пикселя; и прозрачный электрод пикселя соединен с электродом стока тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие второго изолирующего слоя; и
третий изолирующий слой, нанесенный на слой прозрачного электрода, для изоляции слоя прозрачного электрода и слоя общего электрода друг от друга, при этом слой общего электрода содержит линию общего электрода, образованную на третьем изолирующем слое, и прозрачный общий электрод, образованный на линии общего электрода и третьем изолирующем слое;
при этом удельное сопротивление линии общего электрода меньше, чем удельное сопротивление прозрачного общего электрода;
причем подложка матрицы FFS имеет множество областей отображения и линия общего электрода нанесена в месте, соответствующем соединению смежных областей отображения,
причем второй металлический слой дополнительно снабжен общей линией для предоставления общего сигнала, при этом линия общего электрода соединена с общей линией на втором металлическом слое посредством прохождения через третий изолирующий слой, слой прозрачного электрода и второе сквозное отверстие второго изолирующего слоя.
2. Подложка матрицы FFS по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный общий электрод имеет множество структур в виде прорезей, образованных на нем.
3. Подложка матрицы FFS по п.1, отличающаяся тем, что структуры в виде прорезей на прозрачном общем электроде в пределах различных областей отображения проходят в различных направлениях.
4. Подложка матрицы FFS, содержащая
подложку;
первый металлический слой, нанесенный на подложку с образованием линии сканирования и электрода затвора тонкопленочного транзистора;
первый изолирующий слой, нанесенный на первый металлический слой, для изоляции первого металлического слоя и второго металлического слоя друг от друга и для изоляции первого металлического слоя и слоя прозрачного электрода друг от друга;
второй металлический слой, нанесенный на первый изолирующий слой с образованием линии данных, электрода истока тонкопленочного транзистора и электрода стока тонкопленочного транзистора; при этом слой прозрачного электрода нанесен на первый изолирующий слой с образованием прозрачного электрода пикселя, при этом прозрачный электрод пикселя соединен с электродом стока тонкопленочного транзистора; и
второй изолирующий слой, нанесенный на второй металлический слой и слой прозрачного электрода, для изоляции второго металлического слоя и слоя общего электрода друг от друга и для изоляции слоя прозрачного электрода и слоя общего электрода друг от друга; при этом
слой общего электрода содержит линию общего электрода, образованную на втором изолирующем слое, и прозрачный общий электрод, образованный на линии общего электрода и втором изолирующем слое; при этом удельное сопротивление линии общего электрода меньше, чем удельное сопротивление прозрачного общего электрода.
5. Подложка матрицы FFS по п.4, отличающаяся тем, что прозрачный общий электрод имеет множество структур в виде прорезей, образованных на нем.
6. Подложка матрицы FFS по п.4, отличающаяся тем, что подложка матрицы FFS имеет множество областей отображения.
7. Подложка матрицы FFS по п.6, отличающаяся тем, что структуры в виде прорезей на прозрачном общем электроде в пределах различных областей отображения проходят в различных направлениях.
8. Подложка матрицы FFS по п.6, отличающаяся тем, что линия общего электрода нанесена в месте, соответствующем соединению смежных областей отображения.
9. Подложка матрицы FFS по п.4, отличающаяся тем, что первый металлический слой дополнительно снабжен общей линией для предоставления общего сигнала, при этом линия общего электрода соединена с общей линией на первом металлическом слое посредством прохождения через второй изолирующий слой, слой прозрачного электрода и сквозное отверстие первого изолирующего слоя.
10. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее верхнюю подложку, подложку матрицы FFS по п.1 и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и подложкой матрицы FFS.
11. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.10, отличающееся тем, что прозрачный общий электрод имеет множество структур в виде прорезей, образованных на нем.
12. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.10, отличающееся тем, что структуры в виде прорезей на прозрачном общем электроде в пределах различных областей отображения проходят в различных направлениях.

---