Eurasian Application for Invention № 201991410
| BIBLIOGRAPHIC DATA |
(11) Document Number | 201991410 |
(21) Application Number | 201991410 |
(22) Filling Date | 2017.12.06 |
(51) IPC |
G11C 11/16 (2006.01) |
(43)(13) Application Publication Date(s), Kind Code(s) | A1 2019.12.30 Issue No 12  title, specification
|
(31) Number(s) assigned to Priority Application(s) | 1621485.0
|
(32) Date(s) of filing of Priority Application(s) | 2016.12.16
|
(33) Priority Application Office | GB
|
(86) PCT Application Number | GB2017/053674 |
(87) PCT Publication Number | 2018/109441 2018.06.21 |
(71) Applicant(s) | АйП2АйПО ИННОВЕЙШЕНЗ ЛИМИТЕД (GB) |
(72) Inventor(s) | Земен Ян (CZ), Михай Андрей Пол, Зоу Бин, Болдрин Дэвид, Дончев Евгений (GB) |
(74) Attorney(s) or Agent(s) | Хмара М.В., Липатова И.И., Новоселова С.В., Осипов К.В., Пантелеев А.С., Ильмер Е.Г. (RU) |
(54) Title | ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ |
|
| ABSTRACT [ENG] |
(57) Настоящее изобретение относится к ячейке энергонезависимой памяти, содержащей слой хранения, состоящий из ферромагнитного или ферроэлектрического материала, выполненный с возможностью записи в него данных в виде направления магнитной или электрической поляризации, пьезомагнитный слой, состоящий из антиперовскитного пьезомагнитного материала, выборочно имеющего первый тип воздействия на слой хранения и второй тип воздействия на слой хранения в зависимости от магнитного состояния и деформации в пьезомагнитном слое; и вызывающий деформацию слой для создания деформации в пьезомагнитном слое для переключения тем самым с первого типа воздействия на второй тип воздействия.
|
| |
';
$("body").css({"cursor": "progress"});
$("div#"+fr).css({"width": "50%","flex":"0 0 50%"});
$("div#tr"+fr).append(loadtxt);
$("div#tr"+fr).show();
}
//$("div#trformula").hide();
//console.log($('#formula').html());
//getTranslateFromService("ru-en", $('#formula').html());
